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科大研發新型晶片架構 突破聲學器件功率限制 助衛星直連手機
2026-07-21 来源:香港文匯網

楊岩松領導的研究團隊成功研發一種嶄新的晶片架構,能令智能手機內的微型聲學器件承受逾12倍的功率負載,同時保持更低溫、更穩定的運作。(科大圖片)

香港文匯報訊(記者 莫楠)晶片架構對智能手機的運算效能、電池續航力至關重要。香港科技大學研究團隊研發出的新型晶片架構,令智能手機內的微型聲學器件可承受逾12倍的功率負載,同時運作更低溫、更穩定。團隊在每秒振動逾20億次的換能器測試中驗證,新平台「層狀聲波」(Layered Acoustic Wave,簡稱LAW)可將工作溫升降低七成,並創下每平方毫米36.4瓦的閾值功率密度紀錄,突破了聲學晶片數十年來只能處理小訊號的限制,為衛星直連手機通訊、6G網絡及小型化功率轉換等應用開路。有關成果已刊於國際期刊《自然通訊》。

聲波器件是現代最普及卻不易察覺的晶片之一,其原理是把電磁訊號轉換為以吉赫頻率振動的聲波,為每部手機與通訊基站篩選射頻訊號。由於聲速較光速慢約十萬倍,器件可將吉赫頻率的能量壓縮至晶片尺寸,體積細小且難以替代。近年聲學器件更延伸至跨學科前沿,包括與量子位元耦合處理量子資訊、驅動微流控與聲光系統,以及作為非磁性能量儲存單元,用於可持續功率轉換。

近年來業界亦加快在此布局,2025年SpaceX便收購聲學濾波器公司Akoustis Technologies,以開發用於衛星直連手機網絡的高性能聲學濾波器。在此類場景下,器件的功率承載能力直接關乎通訊鏈路的可靠性、覆蓋範圍與傳輸效率。

而由科大電子及計算機工程學系助理教授楊岩松領導、博士生錢芳晟為第一作者的研究團隊,提出的LAW架構關鍵在於重塑器件的上方邊界。傳統設計多把改善重點放在器件底部,LAW則把鈮酸鋰薄膜器件的振動表面埋入複合頂部邊界之下,先鋪設二氧化矽隔離層,再覆蓋厚度遠超聲學波長的非晶矽覆蓋層。理論與模擬顯示,聲波仍能被有效約束於表面附近,而新增疊層同時帶來三重效益。

其一,厚非晶矽層作為機械約束層,重塑應力場分布,令電極界面峰值應力降至原來約四分之一,削弱聲致遷移的驅動力。其二,該層兼作集成散熱層,導熱率較空氣高約兩個數量級,打通垂直散熱通道,迅速把熱量帶離熱點。其三,它亦是熱膨脹補償層,使頻率在溫度大幅波動下仍保持穩定。團隊指出,重新設計邊界不但無損性能,反而令同一波長下工作頻率提升約四分之一、阻尼損耗降低約三成,並可延伸至6吉赫以下頻段,且可透過標準、低成本製程實現。

楊岩松表示,學界長期存在兩個「定論」,一是聲波器件表面必須向空氣開放,以及高功率運作難以實現。團隊證明兩項假設可同時被打破,不再在器件底部追逐愈來愈昂貴、且僅能輕微改善散熱的基板材料,而是重新定義器件上方的邊界,把最脆弱、最難散熱的區域轉化為可靠度的來源,令聲學技術由小訊號元件邁向高功率平台,回應衛星直連手機、6G與能量轉換等需求。

測試結果亦充分顯示LAW的優勢。在相同功率負載下,LAW換能器穩態溫升僅5.2度,而薄膜表面聲波對照器件為17.4度。LAW器件可承受每平方毫米36.4瓦的注入功率密度,為對照器件閾值的12.73倍;並能在零下150度至325度、橫跨475度的溫區內維持穩定的頻率溫度係數。在零下85度低溫下,閾值更升至每平方毫米88.11瓦。失效分析亦印證機理,對照器件出現電極遷移及壓電薄膜開裂,而LAW在更高功率下未見同類嚴重遷移。

論文第一作者錢芳晟表示新架構利用一層簡單、低成本的材料同時完成三項任務:把熱量從熱點散走、補償頻率漂移,以及重新分佈機械應力,令驅動金屬遷移的峰值應力降至原來約四分之一。(科大圖片)

錢芳晟表示,架構巧妙之處在於以一層簡單且低成本的物料,同時達成散熱、補償頻率漂移及重分布機械應力三項任務,「我們不僅透過降溫延緩失效,更從物理根源上消除失效本身。」

由於設計原理着眼於邊界條件而非特定材料,團隊指其可廣泛套用於各類以叉指換能器為核心的聲學系統,並預期LAW平台可支撐新一代射頻濾波器、低溫量子聲學電路、片上聲光與微流控系統,以及微型化非磁性功率轉換模組的發展。

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